AEC-Q101, řada: DMG7430LFG MOSFET DMG7430LFG-7 Typ N-kanálový 10.5 A 30 V DiodesZetex, PowerDI3333, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 770-5115
- Výrobní číslo:
- DMG7430LFG-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 páska po 25 kusech)*
95,65 Kč
(bez DPH)
115,725 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 45 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 25 + | 3,826 Kč | 95,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 770-5115
- Výrobní číslo:
- DMG7430LFG-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | DMG7430LFG | |
| Typ balení | PowerDI3333 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 26.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.85mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.35 mm | |
| Délka | 3.35mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada DMG7430LFG | ||
Typ balení PowerDI3333 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 26.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.85mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.35 mm | ||
Délka 3.35mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET DMTH10H032LFVW-7 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET DMTH10H032LFVWQ-7 Typ N-kanálový 26 A 100 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8
- AEC-Q101 PowerDI3333, počet kolíků: 8
