Výkonový MOSFET ZXMC3A16DN8TA Typ P, Typ N-kanálový 6.4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 770-3393
- Výrobní číslo:
- ZXMC3A16DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
246,01 Kč
(bez DPH)
297,67 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 750 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 + | 49,202 Kč | 246,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 770-3393
- Výrobní číslo:
- ZXMC3A16DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Přímé napětí Vf | 0.85V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Přímé napětí Vf 0.85V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.5nC | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- Výkonový MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 6.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET ZXMP4A16GTA Typ P-kanálový 6.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení