řada: PowerTrench MOSFET FDC6561AN Typ N-kanálový 2.5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

138,81 Kč

(bez DPH)

167,96 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 27 070 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9013,881 Kč138,81 Kč
100 - 24011,955 Kč119,55 Kč
250 - 49010,349 Kč103,49 Kč
500 - 9909,065 Kč90,65 Kč
1000 +8,299 Kč82,99 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
761-9838
Výrobní číslo:
FDC6561AN
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

152mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

2.3nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.78V

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Délka

3mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.