řada: MTP3055VL MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-4542
- Výrobní číslo:
- MTP3055VL
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
241,57 Kč
(bez DPH)
292,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 65 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
- Plus 800 jednotka(y) budou odesílané od 02. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 48,314 Kč | 241,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-4542
- Výrobní číslo:
- MTP3055VL
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | MTP3055VL | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 48W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 16.51mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada MTP3055VL | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 48W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 16.51mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: MTP3055VL MOSFET MTP3055VL Typ N-kanálový 12 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 70 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RFP70N06 Typ N-kanálový 70 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 47 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 30 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 265 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení