řada: MDmesh MOSFET STF10NM60N N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-2739
- Výrobní číslo:
- STF10NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
394,21 Kč
(bez DPH)
477,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 29. října 2026
- Plus 340 jednotka(y) budou odesílané od 04. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 78,842 Kč | 394,21 Kč |
| 50 - 120 | 67,962 Kč | 339,81 Kč |
| 125 + | 53,298 Kč | 266,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-2739
- Výrobní číslo:
- STF10NM60N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 550mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Výška | 16.4mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 550mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6mm | ||
Výška 16.4mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 10 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 29 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 6.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP26NM60N N-kanálový 20 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení