řada: MDmesh M5 MOSFET STD16N65M5 N-kanálový 12 A 650 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-0689P
- Výrobní číslo:
- STD16N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (10 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
417,40 Kč
(bez DPH)
505,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 864 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 41,74 Kč |
| 100 - 499 | 39,83 Kč |
| 500 - 999 | 39,35 Kč |
| 1000 + | 38,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0689P
- Výrobní číslo:
- STD16N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 279mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 279mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.2mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.