řada: MDmesh MOSFET STW9N150 Typ N-kanálový 8 A 1500 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-0639
- Výrobní číslo:
- STW9N150
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
207,23 Kč
(bez DPH)
250,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 509 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 207,23 Kč |
| 5 - 9 | 196,61 Kč |
| 10 - 24 | 177,35 Kč |
| 25 - 49 | 161,54 Kč |
| 50 + | 158,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0639
- Výrobní číslo:
- STW9N150
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1500V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 89.3nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 320W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.15 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1500V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 89.3nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 320W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.15 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 8 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW4N150 Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW3N150 Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh K5 MOSFET STW12N150K5 Typ N-kanálový 7 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 39 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení