řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 69 A 650 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-0635P
- Výrobní číslo:
- STW77N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 562,30 Kč
(bez DPH)
1 890,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 30 jednotka(y) budou odesílané od 06. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 312,46 Kč |
| 10 - 24 | 281,09 Kč |
| 25 - 49 | 273,92 Kč |
| 50 + | 266,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0635P
- Výrobní číslo:
- STW77N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 69A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 38mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 185nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 400W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.15mm | |
| Šířka | 5.15 mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 69A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 38mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 185nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 400W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.15mm | ||
Šířka 5.15 mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.