řada: MDmesh MOSFET STP3N150 Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 760-9698
- Výrobní číslo:
- STP3N150
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
123,01 Kč
(bez DPH)
148,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 867 jednotka(y) budou odesílané od 10. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 123,01 Kč |
| 2 + | 116,83 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 760-9698
- Výrobní číslo:
- STP3N150
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1500V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1500V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP4N150 Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 2.5 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 8 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STW4N150 Typ N-kanálový 4 A 1500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení