MPN

řada: PowerTrench MOSFET FDS86242 Typ N-kanálový 4.1 A 150 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 759-9692
Výrobní číslo:: FDS86242
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDS86242 Typ N-kanálový 4.1 A 150 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

53,85 Kč

(bez DPH)

65,158 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
2 - 18	26,925 Kč	53,85 Kč
20 - 198	23,22 Kč	46,44 Kč
200 - 998	20,13 Kč	40,26 Kč
1000 +	17,785 Kč	35,57 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 759-9692
Výrobní číslo:: FDS86242
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Řada	PowerTrench
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	126mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	0.81V
	Maximální ztrátový výkon Pd	5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	8.9nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	4mm
	Výška	1.5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.1A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Řada PowerTrench
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 126mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 0.81V
	Maximální ztrátový výkon Pd 5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.9nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 4mm
	Výška 1.5mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, až 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.