řada: PowerTrench MOSFET FDME1024NZT Typ N-kanálový 3.8 A 20 V, MicroFET, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

118,07 Kč

(bez DPH)

142,865 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 523,614 Kč118,07 Kč
10 - 9519,316 Kč96,58 Kč
100 - 49513,436 Kč67,18 Kč
500 - 99511,806 Kč59,03 Kč
1000 +9,88 Kč49,40 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
759-9576
Výrobní číslo:
FDME1024NZT
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.8A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Řada

PowerTrench

Typ balení

MicroFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

160mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

0.7V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.4W

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Výška

0.5mm

Délka

1.6mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Na semiši PowerTrench® MOFETS jsou optimalizovány výkonové přepínače, které nabízejí vyšší efektivitu systému a vyšší hustotu energie. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny, malé obnovení zpětného chodu a měkkou diodou pro zpětné zotavení, které přispívají k rychlému přepínání synchronní korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Výkon diody s měkkým tělem MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvod s šňupavým klipem nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.