řada: UltraFET MOSFET FDS2734 N-kanálový 3 A 250 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*

108,68 Kč

(bez DPH)

131,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 250 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1854,34 Kč108,68 Kč
20 - 19846,84 Kč93,68 Kč
200 - 99840,485 Kč80,97 Kč
1000 +35,645 Kč71,29 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
759-9197
Výrobní číslo:
FDS2734
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Maximální napětí na zdroji Vds

250V

Řada

UltraFET

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

225mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

32nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

1.5mm

Šířka

5mm

Délka

4mm

Automobilový standard

Ne

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor


Technologie UItraFET® Trench MOSFET kombinují vlastnosti, které umožňují dosáhnout standardní účinnosti v aplikacích pro konverzi napájení. Zařízení je schopno odolat vysoké energii v lavinovém režimu a dioda vykazuje velmi nízkou dobu zpětného zotavení a skladované nabití. Optimalizováno pro efektivitu při vysokých frekvencích, nejnižším RDS(on), nízkém ESR a nízkém celkovém zatížení Miller gate.

Aplikace v měničích DC-DC s vysokou frekvencí, přepínačích regulátorů, motorových ovladačích, nízkonapěťových sběrnicových spínačích a správě napájení.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.