řada: PowerTrench MOSFET FDB2614 Typ N-kanálový 62 A 200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

89,71 Kč

(bez DPH)

108,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 740 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 989,71 Kč
10 - 9977,24 Kč
100 - 49967,01 Kč
500 +58,94 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
759-8967
Výrobní číslo:
FDB2614
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

62A

Maximální napětí na zdroji Vds

200V

Typ balení

TO-263

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

27mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

76nC

Maximální ztrátový výkon Pd

260W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

30 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

4.83mm

Šířka

11.33 mm

Délka

10.67mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, více než 60A, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy