MPN

řada: PowerTrench MOSFET FDB2614 Typ N-kanálový 62 A 200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 759-8967
Výrobní číslo:: FDB2614
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDB2614 Typ N-kanálový 62 A 200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

123,99 Kč

(bez DPH)

150,03 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 25. června 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 - 9	123,99 Kč
10 - 99	106,70 Kč
100 - 499	92,87 Kč
500 +	81,26 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 759-8967
Výrobní číslo:: FDB2614
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	62A
	Maximální napětí na zdroji Vds	200V
	Typ balení	TO-263
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	27mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	260W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	76nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	10.67mm
	Výška	4.83mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A
	Maximální napětí na zdroji Vds 200V
	Typ balení TO-263
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 27mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 260W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 76nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 10.67mm
	Výška 4.83mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, více než 60A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.