řada: CoolMOS C3MOSFET SPP17N80C3XKSA1 N-kanálový 17 A 800 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 753-3194
Výrobní číslo:: SPP17N80C3XKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS C3MOSFET SPP17N80C3XKSA1 N-kanálový 17 A 800 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

24 k dispozici s dodáním následující pracovní den, pokud objednávku uskutečníte do 16:00.

165 s dodáním do 1 pracovních dnů.

Přidáno

Cena Kus

103,99 Kč

(bez DPH)

125,83 Kč

(s DPH)

Ks	Per unit
1 - 9	103,99 Kč
10 - 24	98,80 Kč
25 - 49	96,82 Kč
50 - 99	90,65 Kč
100 +	82,99 Kč

Skladové číslo RS:: 753-3194
Výrobní číslo:: SPP17N80C3XKSA1
Výrobce:: Infineon

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Infineon CoolMOS™C3 Napájecí MOSFET

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Specifikace

Vlastnost	Hodnota
Typ kanálu	N
Maximální stejnosměrný odběrový proud	17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj	800 V
Řada	CoolMOS C3
Typ balení	TO-220
Typ montáže	Průchozí otvor
Počet kolíků	3
Maximální odpor kolektor/zdroj	290 mΩ
Režim kanálu	Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
Maximální ztrátový výkon	227 W
Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	88 nC při 10 V
Počet prvků na čip	1
Šířka	4.57mm
Délka	10.36mm
Maximální pracovní teplota	+150 °C
Materiál tranzistoru	Si
Minimální provozní teplota	-55 °C
Výška	9.45mm

Skladové číslo RS:: 753-3194
Výrobní číslo:: SPP17N80C3XKSA1
Výrobce:: Infineon