AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, řada: ZVN4525G MOSFET ZVN4525GTA Typ N-kanálový 310 mA 250 V DiodesZetex, SOT-223, počet
- Skladové číslo RS:
- 751-5269
- Výrobní číslo:
- ZVN4525GTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
187,97 Kč
(bez DPH)
227,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 11. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 18,797 Kč | 187,97 Kč |
| 50 - 240 | 14,425 Kč | 144,25 Kč |
| 250 - 490 | 11,387 Kč | 113,87 Kč |
| 500 + | 10,819 Kč | 108,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 751-5269
- Výrobní číslo:
- ZVN4525GTA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 310mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | ZVN4525G | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.7mm | |
| Výška | 1.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 310mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada ZVN4525G | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.7mm | ||
Výška 1.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 310 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET ZVP2110GTA Typ P-kanálový 310 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q200 AEC-Q104 řada: ZXMP6A17G MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 60 V DiodesZetex počet
- AEC-Q104 AEC-Q101 řada: ZXMP10A18G MOSFET Typ P-kanálový 3.7 A 100 V DiodesZetex počet
- AEC-Q100 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET ZVN4206GTA Typ N-kanálový 1 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q100 MOSFET ZVN2110GTA Typ N-kanálový 500 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 4