AEC-Q101, řada: DMG1012UW-7 MOSFET DMG1012UW-7 Typ N-kanálový 1 A 20 V DiodesZetex, SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 751-4073
- Výrobní číslo:
- DMG1012UW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 100 kusech)*
266,80 Kč
(bez DPH)
322,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 400 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 2,668 Kč | 266,80 Kč |
| 600 - 1400 | 2,529 Kč | 252,90 Kč |
| 1500 + | 1,899 Kč | 189,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 751-4073
- Výrobní číslo:
- DMG1012UW-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | DMG1012UW-7 | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 750mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 290mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.74nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.35mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada DMG1012UW-7 | ||
Typ balení SC-70 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 750mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 290mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.74nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.35mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-59, počet kolíků: 3 kolíkový