řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 1.6 A 100 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 725-9350P
- Výrobní číslo:
- IRLML0100TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
713,80 Kč
(bez DPH)
863,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 80 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 900 jednotka(y) budou odesílané od 18. února 2027
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 16. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 240 | 7,138 Kč |
| 250 - 490 | 6,99 Kč |
| 500 - 990 | 4,323 Kč |
| 1000 + | 3,829 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 725-9350P
- Výrobní číslo:
- IRLML0100TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 235mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.3W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -16V, +16V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 235mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.3W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -16V, +16V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.