řada: HEXFETMOSFET IRLML0060TRPBF N-kanálový 2.7 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 725-9341
- Výrobní číslo:
- IRLML0060TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
107,20 Kč
(bez DPH)
129,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 6 980 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 74 880 jednotka(y) budou odesílané od 06. srpna 2025
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
---|---|---|
20 - 180 | 5,36 Kč | 107,20 Kč |
200 - 480 | 4,03 Kč | 80,52 Kč |
500 - 980 | 3,76 Kč | 75,10 Kč |
1000 - 1980 | 3,48 Kč | 69,66 Kč |
2000 + | 3,24 Kč | 64,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 725-9341
- Výrobní číslo:
- IRLML0060TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
---|---|---|
Značka | Infineon | |
Typ kanálu | N | |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 2.7 A | |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
Typ balení | SOT-23 | |
Series | HEXFET | |
Typ montáže | Povrchová montáž | |
Počet kolíků | 3 | |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 92 mΩ | |
Režim kanálu | Vylepšení | |
Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
Maximální ztrátový výkon | 1.25 W | |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -16 V, +16 V | |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 2,5 nC při 4,5 V | |
Délka | 3.04mm | |
Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
Počet prvků na čip | 1 | |
Materiál tranzistoru | Si | |
Šířka | 1.4mm | |
Výška | 1.02mm | |
Minimální provozní teplota | -55 °C | |
Vybrat vše | ||
---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 2.7 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Series HEXFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 92 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 1.25 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +16 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 2,5 nC při 4,5 V | ||
Délka 3.04mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Šířka 1.4mm | ||
Výška 1.02mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Související odkazy
- řada: HEXFETMOSFET IRLML0060TRPBF N-kanálový 2 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML2030TRPBF N-kanálový 2.7 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML2060TRPBF N-kanálový 1.2 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML2060TRPBF N-kanálový 1 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: PowerTrenchMOSFET FDN8601 N-kanálový 2.7 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML6246TRPBF N-kanálový 4 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML0030TRPBF N-kanálový 5 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRLML6244TRPBF N-kanálový 6 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si