MPN

MOSFET PMN50XP,165 P-kanálový 4.8 A 20 V, TSOP, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Nexperia
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	4.8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	20 V
	Typ balení	TSOP
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor kolektor/zdroj	60 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	0.95V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	0.55V
	Maximální ztrátový výkon	2.2 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-12 V, +12 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	10 nC při 4,5 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	1.7mm
	Délka	3.1mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	1mm

	Vybrat vše
	Značka Nexperia
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 4.8 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 20 V
	Typ balení TSOP
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor kolektor/zdroj 60 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 0.95V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 0.55V
	Maximální ztrátový výkon 2.2 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -12 V, +12 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 10 nC při 4,5 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 1.7mm
	Délka 3.1mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 1mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.