řada: IRF840AS MOSFET IRF840ASPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 708-5146
- Výrobní číslo:
- IRF840ASPBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
358,64 Kč
(bez DPH)
433,955 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 25 jednotka(y) budou odesílané od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 71,728 Kč | 358,64 Kč |
| 50 - 120 | 54,538 Kč | 272,69 Kč |
| 125 - 245 | 50,19 Kč | 250,95 Kč |
| 250 - 495 | 42,978 Kč | 214,89 Kč |
| 500 + | 37,298 Kč | 186,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-5146
- Výrobní číslo:
- IRF840ASPBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | IRF840AS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 850mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada IRF840AS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 850mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.65mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: IRF840AS MOSFET IRF840ASPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF840S Výkonový MOSFET IRF840SPBF N-kanálový 8 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF840S MOSFET SIHF840STRL-GE3 N-kanálový 8.1 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRF830A Výkonový MOSFET IRF830ASPBF N-kanálový 5 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF840S MOSFET SIHF840STRL-GE3 Typ N-kanálový 8.1 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP12NM50 MOSFET N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UniFET MOSFET N-kanálový 15 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP12NM50 MOSFET STB12NM50T4 N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení