AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101, řada: DMN2004K MOSFET DMN2004K-7 N-kanálový 630 mA 20 V DiodesZetex, SOT-23,
- Skladové číslo RS:
- 708-2425
- Výrobní číslo:
- DMN2004K-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (25 jednotky/-ek, v balení po 25 ks)*
165,50 Kč
(bez DPH)
200,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 23. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 6,62 Kč | 165,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-2425
- Výrobní číslo:
- DMN2004K-7
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 630mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | DMN2004K | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8V, +8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 630mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada DMN2004K | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8V, +8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3mm | ||
Automobilový standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 12 V až 28 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q200 AEC-Q104 řada: DMN2004K MOSFET N-kanálový 630 mA 20 V DiodesZetex počet kolíků:
- AEC-Q100 AEC-Q101 řada: ZVN4525E6 MOSFET ZVN4525E6TA N-kanálový 230 mA 250 V DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q101 řada: ZVN4525E6 MOSFET N-kanálový 230 mA 250 V DiodesZetex počet
- AEC-Q104 AEC-Q101 řada: BSS123 MOSFET BSS123-7-F N-kanálový 170 mA 100 V DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q104 řada: BSS84 MOSFET BSS84-7-F Typ P-kanálový 130 mA 50 V DiodesZetex
- AEC-Q100 AEC-Q104 řada: BSS138 MOSFET BSS138-7-F N-kanálový 200 mA 50 V DiodesZetex počet
- AEC-Q100 AEC-Q104 řada: BSS84 MOSFET Typ P-kanálový 130 mA 50 V DiodesZetex počet kolíků:
- AEC-Q104 AEC-Q101 řada: BSS123 MOSFET N-kanálový 170 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 3