řada: STripFET F3 MOSFET STB140NF75T4 N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 687-5096
- Výrobní číslo:
- STB140NF75T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
164,60 Kč
(bez DPH)
199,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 572 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 82,30 Kč | 164,60 Kč |
| 20 - 98 | 51,275 Kč | 102,55 Kč |
| 100 - 198 | 39,095 Kč | 78,19 Kč |
| 200 + | 34,98 Kč | 69,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-5096
- Výrobní číslo:
- STB140NF75T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | STripFET F3 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 310W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada STripFET F3 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 310W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET F3 MOSFET N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB160N75F3 N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STB75NF75LT4 N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB75NF20 N-kanálový 75 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STB120NF10T4 N-kanálový 120 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 120 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení