řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 17 A 60 V onsemi, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

139,06 Kč

(bez DPH)

168,265 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 45 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
  • Plus 1 460 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 +27,812 Kč139,06 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
671-5045
Výrobní číslo:
FQP17P06
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

17A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

TO-220

Řada

QFET

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

120mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Přímé napětí Vf

-4V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

21nC

Maximální ztrátový výkon Pd

79W

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

4.7 mm

Normy/schválení

No

Délka

10.1mm

Výška

9.4mm

Automobilový standard

Ne

QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Nové planetární tranzistory MOSFET® společnosti Fairchild Semiconductor využívají Advanced, patentovanou technologii, která nabízí nejlepší provozní výkon ve své třídě pro širokou řadu aplikací, včetně napájecích zdrojů, PFC (korekce účiníku), DC-DC převodníků, plazmových panelů displeje (PDP), světelné předřadníky a ovládání pohybu.

Nabízejí snížení ztrát ve stavu snížením odporu (RDS(on)) a snížení ztráty spínání snížením nabití brány (QG) a kapacity výstupu (Coss). Díky Advanced procesní technologii QFET® může Fairchild nabídnout lepší hodnotu oproti konkurenčním planetovým zařízením MOSFET.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy