řada: PowerTrench MOSFET FDS6680A N-kanálový 12.5 A 30 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-0605
- Výrobní číslo:
- FDS6680A
- Výrobce:
- onsemi
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 25 kusů a ušetřete 17%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
158,57 Kč
(bez DPH)
191,87 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 20 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 845 jednotka(y) budou odesílané od 20. listopadu 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 31,714 Kč | 158,57 Kč | - |
| 25 - 95 | 26,084 Kč | 130,42 Kč | 17% |
| 100 - 245 | 17,192 Kč | 85,96 Kč | 45% |
| 250 - 495 | 16,204 Kč | 81,02 Kč | 48% |
| 500 + | 15,512 Kč | 77,56 Kč | 51% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0605
- Výrobní číslo:
- FDS6680A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 700mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 700mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 12.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 10 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 10.8 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 8.9 A 80 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 13 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 18.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 4.5 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 18 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení