řada: PowerTrench MOSFET FDN306P Typ P-kanálový 2.6 A 12 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

52,17 Kč

(bez DPH)

63,125 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
V důsledku omezení v dodavatelském řetězci budou skladové zásoby přiděleny podle dostupnosti.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4510,434 Kč52,17 Kč
50 - 1459,92 Kč49,60 Kč
150 - 7458,34 Kč41,70 Kč
750 - 14957,826 Kč39,13 Kč
1500 +7,35 Kč36,75 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0416
Výrobní číslo:
FDN306P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

12V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

40mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12nC

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Výška

0.94mm

Šířka

1.4 mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy