řada: UltraFET MOSFET FDMS5672 N-kanálový 10.6 A 60 V onsemi, MLP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*

414,47 Kč

(bez DPH)

501,51 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 990 jednotka(y) budou odesílané od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 582,894 Kč414,47 Kč
10 - 9570,198 Kč350,99 Kč
100 - 24555,13 Kč275,65 Kč
250 - 49553,352 Kč266,76 Kč
500 +46,634 Kč233,17 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0390
Výrobní číslo:
FDMS5672
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

10.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

MLP

Řada

UltraFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

12mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

32nC

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5mm

Šířka

6mm

Výška

750μm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor


Technologie UItraFET® Trench MOSFET kombinují vlastnosti, které umožňují dosáhnout standardní účinnosti v aplikacích pro konverzi napájení. Zařízení je schopno odolat vysoké energii v lavinovém režimu a dioda vykazuje velmi nízkou dobu zpětného zotavení a skladované nabití. Optimalizováno pro efektivitu při vysokých frekvencích, nejnižším RDS(on), nízkém ESR a nízkém celkovém zatížení Miller gate.

Aplikace v měničích DC-DC s vysokou frekvencí, přepínačích regulátorů, motorových ovladačích, nízkonapěťových sběrnicových spínačích a správě napájení.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.