řada: SuperFET MOSFET FCB11N60TM N-kanálový 11 A 600 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-0337P
- Výrobní číslo:
- FCB11N60TM
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
784,40 Kč
(bez DPH)
949,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 519 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 78,44 Kč |
| 100 - 499 | 67,78 Kč |
| 500 + | 59,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0337P
- Výrobní číslo:
- FCB11N60TM
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SuperFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 380mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -30V, +30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.4V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.83mm | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SuperFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 380mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -30V, +30V | ||
Přímé napětí Vf 1.4V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.83mm | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.
Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.