řada: SuperFET MOSFET FCB20N60TM Typ N-kanálový 20 A 600 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

165,49 Kč

(bez DPH)

200,24 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
V důsledku omezení v dodavatelském řetězci budou skladové zásoby přiděleny podle dostupnosti.

Ks
za jednotku
1 - 9165,49 Kč
10 - 99142,77 Kč
100 - 499123,50 Kč
500 +108,68 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0330
Výrobní číslo:
FCB20N60TM
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

20A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Typ balení

TO-263

Řada

SuperFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

190mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

75nC

Přímé napětí Vf

1.4V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

208W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

9.65mm

Výška

4.83mm

Automobilový standard

Ne

SuperFET® a SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild přidal řadu výkonových tranzistorů MOSFET SuperFET® II s vysokým napětím pomocí technologie Super Junction. Poskytuje nejlepší výkon robustní diody ve své třídě v aplikacích napájení SMPS (AC-DC Switch Mode), jako jsou servery, telekomunikace, počítače, průmyslové napájecí zdroje, UPS/ESS, solární převodník, osvětlovací aplikace, které vyžadují vysoký výkon, účinnost a spolehlivost systému.

Díky Advanced Charge bilance technologii dosahují návrháři efektivnějších, cenově výhodnějších a vysoce výkonných řešení, která zabírají méně místa na palubě a zlepšují spolehlivost.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.