AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 MOSFET ZVN4206ASTZ Typ N-kanálový 600 mA 60 V DiodesZetex, E-Line, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 669-7717
- Výrobní číslo:
- ZVN4206ASTZ
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
125,38 Kč
(bez DPH)
151,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 340 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 12,538 Kč | 125,38 Kč |
| 30 - 90 | 11,007 Kč | 110,07 Kč |
| 100 - 490 | 10,77 Kč | 107,70 Kč |
| 500 - 990 | 10,473 Kč | 104,73 Kč |
| 1000 + | 10,177 Kč | 101,77 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 669-7717
- Výrobní číslo:
- ZVN4206ASTZ
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 600mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | E-Line | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 700mW | |
| Přímé napětí Vf | -4V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 4.01mm | |
| Délka | 4.77mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 600mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení E-Line | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 700mW | ||
Přímé napětí Vf -4V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 4.01mm | ||
Délka 4.77mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 40 V až 90 V, Diody Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 600 mA 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET ZVN3306A Typ N-kanálový 270 mA 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q100 AEC-Q200 MOSFET ZVN4206A Typ N-kanálový 600 mA 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET ZVN2110ASTZ Typ N-kanálový 320 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 3
- AEC-Q100 AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 270 mA 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 AEC-Q200 MOSFET Typ N-kanálový 600 mA 60 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q200 AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 320 mA 100 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q100 AEC-Q200 E-Line, počet kolíků: 3 kolíkový