MPN

AEC-Q101, řada: ZXMN10A07F MOSFET ZXMN10A07FTA N-kanálový 800 mA 100 V DiodesZetex, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 669-7679
Výrobní číslo:: ZXMN10A07FTA
Výrobce:: DiodesZetex

AEC-Q101, řada: ZXMN10A07F MOSFET ZXMN10A07FTA N-kanálový 800 mA 100 V DiodesZetex, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

155,12 Kč

(bez DPH)

187,70 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 180 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Plus 2 200 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 20	15,512 Kč	155,12 Kč
30 - 140	11,14 Kč	111,40 Kč
150 - 740	8,398 Kč	83,98 Kč
750 - 1490	7,435 Kč	74,35 Kč
1500 +	7,114 Kč	71,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 669-7679
Výrobní číslo:: ZXMN10A07FTA
Výrobce:: DiodesZetex

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	800mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	ZXMN10A07F
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	700mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	806mW
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	2.9nC
	Přímé napětí Vf	950mV
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	1.4mm
	Normy/schválení	No
	Délka	3.05mm
	Výška	1mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 800mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada ZXMN10A07F
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 700mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 806mW
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 2.9nC
	Přímé napětí Vf 950mV
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 1.4mm
	Normy/schválení No
	Délka 3.05mm
	Výška 1mm
	Automobilový standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, 100V až 950V, Diody Inc

Tranzistory MOSFET, Diode Inc.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.