řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 38 A 100 V Infineon, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 650-3707
- Výrobní číslo:
- IRF5210LPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
109,62 Kč
(bez DPH)
132,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 5 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 21,924 Kč | 109,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 650-3707
- Výrobní číslo:
- IRF5210LPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 38A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | I2PAK (TO-262) | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 60mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | Lead-Free | |
| Výška | 10.54mm | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 38A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení I2PAK (TO-262) | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení Lead-Free | ||
Výška 10.54mm | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-Channel Power MOSFET 100V až 150V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s kanálem P v povrchové montáži a v olovnatých obalech a tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF5210LPBF Typ P-kanálový 38 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905LPBF Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 33 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFSL4127PBF Typ N-kanálový 72 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFSL7437PBF Typ N-kanálový 195 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení