řada: PowerTrench MOSFET BSS123LT1G Typ N-kanálový 170 mA 100 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 545-0135
- Výrobní číslo:
- BSS123LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
39,52 Kč
(bez DPH)
47,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 600 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
- Plus 1 250 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
- Plus 35 570 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,952 Kč | 39,52 Kč |
| 100 - 240 | 3,557 Kč | 35,57 Kč |
| 250 + | 3,137 Kč | 31,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 545-0135
- Výrobní číslo:
- BSS123LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 170mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.94mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 170mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.94mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 170 mA 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 2.3 A 150 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 2.6 A 12 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 5.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení