řada: HEXFET MOSFET IRFP9140NPBF Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 542-9816
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-84-056
- Výrobní číslo:
- IRFP9140NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
78,55 Kč
(bez DPH)
95,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- 3 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Konečné odeslání 835 jednotky (jednotek) od 15. října 2026
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 78,55 Kč |
| 10 - 49 | 75,09 Kč |
| 50 - 99 | 72,87 Kč |
| 100 - 249 | 68,17 Kč |
| 250 + | 63,23 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 542-9816
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-84-056
- Výrobní číslo:
- IRFP9140NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 23A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 117mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 5.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.3mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 23A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 117mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 5.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.3mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 23 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 140 W maximální ztrátový výkon - IRFP9140NPBF
Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET je navržen pro efektivní spínání v různých aplikacích. Je ideální pro výkonovou elektroniku, protože kombinuje vysokou schopnost trvalého odběru proudu s nízkým odporem, což usnadňuje spolehlivé a přesné řízení v automatizačních a elektrických systémech v různých provozních prostředích.
Vlastnosti a výhody
• Konfigurace P-Channel umožňuje flexibilní návrhy obvodů
• Maximální trvalý odtokový proud 23 A
• 100V napětí na odtoku zdroje zvyšuje bezpečnost
• Nízký RDS(on) 117mΩ snižuje ztráty výkonu
• Vhodné pro aplikace v režimu vylepšení, které zajišťují stabilní výkon
Aplikace
• Využívá se při řízení motoru pro zvýšení efektivity
• Ideální pro systémy řízení spotřeby energie, které vyžadují vysokou spolehlivost
• Běžné v napájecích obvodech pro robustní provoz
• Použití ve spínacích regulátorech pro efektivní přeměnu energie
• Vhodné pro průmyslové automatizační systémy vyžadující spolehlivé spínání
Jaké je maximální prahové napětí hradla zařízení?
Má maximální prahové napětí hradla 4 V, což je vhodné pro různé obvody.
Jak ovlivňuje hodnota RDS(on) výkon?
Nízká hodnota RDS(on) 117mΩ minimalizuje energetické ztráty, čímž zvyšuje účinnost a tepelné řízení aplikací.
Jaké typy obvodů mohou tento MOSFET využít?
Je vhodný pro lineární i spínací obvody, takže je univerzální pro různé elektronické aplikace.
Jaký je typický náboj brány potřebný k provozu?
Pro optimální výkon vyžaduje MOSFET typický náboj na hradle 97nC při napětí na hradle a zdroji 10 V.
Jaké jsou důsledky maximální provozní teploty?
Díky maximální provozní teplotě +175 °C je toto zařízení vhodné do prostředí s vysokými teplotami, což zvyšuje jeho spolehlivost v náročných podmínkách.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9540NSTRLPBF Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9540NPBF Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 2.3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení