řada: HEXFET MOSFET IRF3415PBF Typ N-kanálový 43 A 150 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 542-9232
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-275
- Výrobní číslo:
- IRF3415PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
40,26 Kč
(bez DPH)
48,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- Plus 83 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 59 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 40,26 Kč |
| 10 - 49 | 36,56 Kč |
| 50 - 99 | 34,09 Kč |
| 100 - 249 | 32,36 Kč |
| 250 + | 29,15 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 542-9232
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-275
- Výrobní číslo:
- IRF3415PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 43A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 8.77mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 43A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 8.77mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový napájecí MOSFET 150 V až 600 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB38N20DPBF Typ N-kanálový 43 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFI4410ZPBF Typ N-kanálový 43 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3806PBF Typ N-kanálový 43 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 43 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP3415PBF Typ N-kanálový 43 A 43 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení