řada: IRFB9N60A Výkonový MOSFET IRFB9N60APBF N-kanálový 9.2 A 600 V Vishay, JEDEC TO-220AB, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 541-1922
- Výrobní číslo:
- IRFB9N60APBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
75,58 Kč
(bez DPH)
91,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 003 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 75,58 Kč |
| 10 - 49 | 65,70 Kč |
| 50 - 99 | 62,74 Kč |
| 100 - 249 | 59,03 Kč |
| 250 + | 54,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-1922
- Výrobní číslo:
- IRFB9N60APBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | JEDEC TO-220AB | |
| Řada | IRFB9N60A | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 750mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 9.01mm | |
| Délka | 10.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení JEDEC TO-220AB | ||
Řada IRFB9N60A | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 750mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 9.01mm | ||
Délka 10.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay IRFB9N60A, zdrojové napětí vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 9,2 A – IRFB9N60APBF
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor určený pro spínací a zesilovací úkoly v průmyslové elektronice. Funguje jako zařízení s vylepšeným režimem a je dodáván v pouzdru s průchozím otvorem TO-220AB, který je vhodný pro montáž do chladiče. Součást je navržena pro provoz v širokém rozsahu teplot, díky čemuž je vhodná pro náročné tepelné prostředí.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 600 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 9.2 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 750 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Maximální ztrátový výkon 170 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Typické náboje hradla 49 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje standardní napětí pohonu hradla
• nepřetržitý vypouštěcí proud 9.2 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 750 mΩ snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Maximální ztrátový výkon 170 W umožňuje manipulaci s vysokým výkonem
• Typické náboje hradla 49 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje standardní napětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro offline napájecí zdroje a SMPS
• Ideální pro měničové a motorové stupně
• Používá se s vysokonapěťovými konstrukcemi měničů DC/DC
• Lze použít pro indukční spínání zátěže v průmyslových zařízeních
• Používá se pro prototypy výkonových stupňů na vývojových deskách s průchozím otvorem
• Ideální pro měničové a motorové stupně
• Používá se s vysokonapěťovými konstrukcemi měničů DC/DC
• Lze použít pro indukční spínání zátěže v průmyslových zařízeních
• Používá se pro prototypy výkonových stupňů na vývojových deskách s průchozím otvorem
Jaké tepelné extrémy může zařízení tolerovat při provozu?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C při okolní teplotě, což umožňuje nízkoteplotní spouštění a zvýšenou tepelnou zátěž.
Jak pouzdro podporuje montáž a chlazení v systémech?
Obrys TO-220AB umožňuje bezpečné upevnění průchozím otvorem a přímé upevnění k chladiču pro lepší tepelnou vodivost.
Jaké úvahy o pohonu hradla jsou nutné pro výkon spínání?
Napětí pohonu by mělo zůstat v rozsahu ±30 V od brány ke zdroji
náboj hradla 49 nC ovlivňuje požadovaný proud budiče pro cílenou spínací rychlost.
Je zařízení vhodné pro aplikace automobilové třídy?
Není charakterizován podle automobilových norem, a proto se doporučuje pro průmyslové použití namísto použití v automobilovém průmyslu.
Související odkazy
- řada: IRFB9N60A Výkonový MOSFET IRFB9N60APBF N-kanálový 9.2 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- Výkonový MOSFET IRFBC40APBF N-kanálový 6.2 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vishay 1 Jednoduchý
- řada: IRFBC20 Výkonový MOSFET IRFBC20PBF N-kanálový 2.2 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SIHP MOSFET SIHP155N60EF-GE3 N-kanálový 21 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: R60 MOSFET R6038YNX3C16 N-kanálový 38 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: R60 MOSFET R6027YNX3C16 N-kanálový 27 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: R60 MOSFET R6022YNX3C16 N-kanálový 22 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: R60 MOSFET R6010YNX3C16 N-kanálový 10 A 600 V ROHM počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení