řada: HEXFET MOSFET IRF1310NPBF N-kanálový 42 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-1506
- Výrobní číslo:
- IRF1310NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
64,71 Kč
(bez DPH)
78,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 141 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 06. října 2026
- Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 64,71 Kč |
| 10 - 49 | 46,93 Kč |
| 50 - 99 | 44,71 Kč |
| 100 - 249 | 41,50 Kč |
| 250 + | 38,04 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-1506
- Výrobní číslo:
- IRF1310NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 36mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 160W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.69mm | |
| Výška | 8.77mm | |
| Délka | 10.54mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 36mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 160W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.69mm | ||
Výška 8.77mm | ||
Délka 10.54mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR2905TRPBF N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFP150NPBF N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR4104TRLPBF N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF1310NSTRLPBF N-kanálový 42 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení