řada: IRFP MOSFET IRFPE50PBF Typ N-kanálový 7.8 A 800 V Vishay, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-1089
- Výrobní číslo:
- IRFPE50PBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
136,84 Kč
(bez DPH)
165,58 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 13 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
- Plus 256 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 136,84 Kč |
| 10 - 24 | 118,07 Kč |
| 25 - 49 | 109,42 Kč |
| 50 - 99 | 102,75 Kč |
| 100 + | 88,67 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-1089
- Výrobní číslo:
- IRFPE50PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | IRFP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.31mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada IRFP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.31mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 7.8 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 5.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET IRFPE40PBF Typ N-kanálový 5.4 A 800 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 23 A 400 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 16 A 400 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 22 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 15 A 250 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRFP MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení