řada: IRF640 MOSFET IRF640PBF N-kanálový 18 A 200 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-0452
- Výrobní číslo:
- IRF640PBF
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 956,25 Kč
(bez DPH)
2 367,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 26. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 39,125 Kč | 1 956,25 Kč |
| 100 - 200 | 33,646 Kč | 1 682,30 Kč |
| 250 + | 31,30 Kč | 1 565,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-0452
- Výrobní číslo:
- IRF640PBF
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IRF640 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 180mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.01mm | |
| Délka | 10.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IRF640 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.01mm | ||
Délka 10.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- MOSFET IRL640A N-kanálový 18 A 200 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4020PBF N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF640NPBF N-kanálový 18 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRL MOSFET IRL640A N-kanálový 18 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STP20NF20 N-kanálový 18 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IRLI MOSFET IRLI640GPBF N-kanálový 9.9 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení