MOSFET STP9NK50ZFP Typ N-kanálový 7.2 A 500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 486-2379
- Výrobní číslo:
- STP9NK50ZFP
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
302,33 Kč
(bez DPH)
365,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 110 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 60,466 Kč | 302,33 Kč |
| 10 + | 57,452 Kč | 287,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 486-2379
- Výrobní číslo:
- STP9NK50ZFP
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 850mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 9.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 850mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 9.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení