MPN

řada: STripFET Výkonový MOSFET STS4DNF60L Typ N-kanálový 4 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový STMicroelectronics

Skladové číslo RS:: 485-8358
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-42-969
Výrobní číslo:: STS4DNF60L
Výrobce:: STMicroelectronics

řada: STripFET Výkonový MOSFET STS4DNF60L Typ N-kanálový 4 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový STMicroelectronics

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

302,33 Kč

(bez DPH)

365,82 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

11 030 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
5 - 5	60,466 Kč	302,33 Kč
10 - 20	53,748 Kč	268,74 Kč
25 - 95	50,98 Kč	254,90 Kč
100 - 495	39,964 Kč	199,82 Kč
500 +	33,69 Kč	168,45 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 485-8358
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-42-969
Výrobní číslo:: STS4DNF60L
Výrobce:: STMicroelectronics

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	STripFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	55mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	150°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	15nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	2W
	Maximální provozní teplota	-55°C
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Délka	5mm
	Normy/schválení	No
	Výška	1.25mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada STripFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 55mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota 150°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 2W
	Maximální provozní teplota -55°C
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Délka 5mm
	Normy/schválení No
	Výška 1.25mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.

Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.