řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 80 A 75 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 485-7844P
- Výrobní číslo:
- STP75NF75
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
395,20 Kč
(bez DPH)
478,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 175 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 39,52 Kč |
| 100 - 499 | 31,62 Kč |
| 500 + | 24,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 485-7844P
- Výrobní číslo:
- STP75NF75
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 9.15mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET II | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 9.15mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.