MPN

řada: STripFETTranzistor MOSFET STB40NF10 N-kanálový 50 A 100 V, D2PAK, počet kolíků: 3

Nedostupné

Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	50 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	D2PAK
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	28 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	150 W
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Délka	10.4mm
	Šířka	9.35mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	60,6 nC při 10 V
	Počet prvků na čip	1
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.6mm
	Řada	STripFET

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 50 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení D2PAK
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 28 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 150 W
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Délka 10.4mm
	Šířka 9.35mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 60,6 nC při 10 V
	Počet prvků na čip 1
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.6mm
	Řada STripFET

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.