řada: STP80N MOSFET STP80N1K1K6 Typ N-kanálový 5 A 800 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*

404,15 Kč

(bez DPH)

489,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 298 jednotka(y) budou odesílané od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 +40,415 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
287-7047P
Výrobní číslo:
STP80N1K1K6
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

5A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-220

Řada

STP80N

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

62W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

5.7nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonové tranzistory MOSFET společnosti STMicroelectronics jsou navrženy s využitím špičkové technologie MDmesh K6, která vychází z 20 let zkušeností společnosti STMicroelectronics s technologií superjunction. Výsledek je nejlepší ve své třídě v oblasti odporu na plochu a nabíjení hradla pro aplikace vyžadující vynikající hustotu výkonu a vysokou účinnost.

Celosvětově nejlepší FOM

Ultra nízký náboj hradla

100 % lavinově testováno

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.