řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN1LTR Typ N, Typ P-kanálový 9.7 A 650 V STMicroelectronics, QFN-9, počet kolíků: 31
- Skladové číslo RS:
- 287-7041P
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN1LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 25 kusů a ušetřete 228,50 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 227,60 Kč
(bez DPH)
1 485,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 263 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 10 - 24 | 122,76 Kč | - |
| 25 - 99 | 113,62 Kč | 228,50 Kč |
| 100 - 999 | 105,22 Kč | 1 754,00 Kč |
| 1000 + | 103,99 Kč | 18 770,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7041P
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN1LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | QFN-9 | |
| Řada | MASTERG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 31 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 220mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 2nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Šířka | 9mm | |
| Délka | 9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | RoHS, ECOPACK | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení QFN-9 | ||
Řada MASTERG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 31 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 220mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 2nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Šířka 9mm | ||
Délka 9mm | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení RoHS, ECOPACK | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 150 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Nulová ztráta při zpětném zotavení
Ochrana UVLO na VCC
Interní bootstrap dioda
Funkce blokování