řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8291
- Výrobní číslo:
- SIHB085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 914,80 Kč
(bez DPH)
5 946,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 98,296 Kč | 4 914,80 Kč |
| 100 - 450 | 80,408 Kč | 4 020,40 Kč |
| 500 - 950 | 68,414 Kč | 3 420,70 Kč |
| 1000 + | 66,631 Kč | 3 331,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8291
- Výrobní číslo:
- SIHB085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 34A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | SIHB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.084Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 184W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 34A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada SIHB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.084Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 184W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHB, zdrojové napětí vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A – SIHB085N60EF-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťové polovodičové zařízení s N-kanálem určené pro napájecí spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu okolních teplot a je vhodný pro obvody vyžadující značný vypouštěcí proud a zvýšenou kapacitu vypouštěcího zdroje napětí. Součást je dodávána v pouzdru TO-263 pro řízení teploty na výkonových stupních pro montáž na PCB.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 650 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Rds(on) 0.084 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Celkový náboj hradla 63 nC umožňuje předvídatelný design pohonu hradla
• Rozptýlení výkonu 184 W usnadňuje uspořádání s vysokou hustotou výkonu
• Limit Vgs 30 V umožňuje pevné rozpětí napětí hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Rds(on) 0.084 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Celkový náboj hradla 63 nC umožňuje předvídatelný design pohonu hradla
• Rozptýlení výkonu 184 W usnadňuje uspořádání s vysokou hustotou výkonu
• Limit Vgs 30 V umožňuje pevné rozpětí napětí hradla
Aplikace
• Ideální pro výkonové měniče v průmyslových zdrojích
• Vhodné pro spínací stupně vysokonapěťových měničů
• Používá se pro přední spínací tranzistory motorového pohonu
• Lze použít pro regulaci napájecích lišt v telekomunikacích
• Doporučeno pro primární spínače spínaných napájecích zdrojů
• Vhodné pro spínací stupně vysokonapěťových měničů
• Používá se pro přední spínací tranzistory motorového pohonu
• Lze použít pro regulaci napájecích lišt v telekomunikacích
• Doporučeno pro primární spínače spínaných napájecích zdrojů
Jaké výhody balení pomáhají při tepelném návrhu desek plošných spojů?
Formát TO-263 pro povrchovou montáž nabízí velkou tepelnou podložku a kovovou plochu pro lepší přenos tepla na desku a vnější uspořádání chladičů.
Jak nabíjení hradla ovlivňuje výběr obvodu pohonu?
Nabíjení hradla 63 nC určuje požadovaný proud budiče a ztráty při spínání
ovladače brány musí zajišťovat a odvodňovat dostatečný proud pro požadované přechodové rychlosti, aby byla zajištěna rovnováha mezi účinností a EMI.
Jakému rozsahu teplot odolává během provozu?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C pro podmínky spojení nebo okolí definované chlazením systému, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.
Existují pro použití nějaká regulativní omezení?
Součást je v souladu se směrnicemi RoHS, což znamená, že splňuje požadavky na omezené látky pro elektronické sestavy.
Související odkazy
- řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T5-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHB240N65E-GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHP MOSFET SIHP085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHG085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH068N60E-T1-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: S MOSFET SIHB135N65S-GE3 N-kanálový 27 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový N