řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8291
- Výrobní číslo:
- SIHB085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 914,80 Kč
(bez DPH)
5 946,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 98,296 Kč | 4 914,80 Kč |
| 100 - 450 | 80,408 Kč | 4 020,40 Kč |
| 500 - 950 | 68,414 Kč | 3 420,70 Kč |
| 1000 + | 66,631 Kč | 3 331,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8291
- Výrobní číslo:
- SIHB085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 34A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | SIHB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.084Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 184W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 34A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada SIHB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.084Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 184W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHB, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A – SIHB085N60EF-GE3
Tento vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem je navržen pro spínání napájení v náročných průmyslových a elektronických systémech. Funguje jako tranzistor s režimem zesílení vhodný pro montáž na povrch v aplikacích vyžadujících robustní manipulaci s napětím a zvýšenou tepelnou toleranci. Zařízení podporuje konvenční úrovně pohonu hradla a je určeno pro použití tam, kde je vyžadováno řízené vedení a rychlé spínání.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 650 V pro schopnost spínání při vysokém napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A pro provoz při vysoké zátěži
• Rds(on) 0,084 Ω minimalizuje ztráty při vedení v obvodech
• Rozptýlení výkonu 184 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Typické náboje hradla 63 nC pro optimalizaci výkonu spínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje standardní napětí pohonu hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A pro provoz při vysoké zátěži
• Rds(on) 0,084 Ω minimalizuje ztráty při vedení v obvodech
• Rozptýlení výkonu 184 W umožňuje udržitelnou tepelnou zátěž
• Typické náboje hradla 63 nC pro optimalizaci výkonu spínání
• Tolerance hradla 30 V podporuje standardní napětí pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínání SMPS na primární straně
• Ideální pro průmyslové stupně měničů pro pohon motoru
• Používá se pro korekci účiníku předních spínačů
• Lze použít pro vysokonapěťové relé a obvody ovladače stykače
• Ideální pro průmyslové stupně měničů pro pohon motoru
• Používá se pro korekci účiníku předních spínačů
• Lze použít pro vysokonapěťové relé a obvody ovladače stykače
V jakém teplotním rozsahu může pracovat?
Je určen pro provoz až do -55 °C a maximálně do 150 °C, což umožňuje použití v široké škále tepelných prostředí.
Jak je balení vhodné pro montážní procesy?
Zařízení je dodáváno v pouzdru TO-263 pro povrchovou montáž se třemi kolíky, což usnadňuje automatizovanou montáž pájením a řízení tepla na napájecích PCB.
Jaký je limit požadavků na pohon hradla?
Maximální přípustné napětí mezi bránou a zdrojem je 30 V, takže obvody pohonu brány by měly být navrženy tak, aby zůstávaly v rámci této prahové hodnoty.
Splňuje součást nějaké environmentální směrnice?
Splňuje požadavky RoHS, což naznačuje nepřítomnost určitých omezených látek ve své konstrukci.
Související odkazy
- řada: SIHB MOSFET SIHB085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB150N60E-GE3 Typ N-kanálový 34 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET Typ N-kanálový 34 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB080N60E-GE3 Typ N-kanálový 35 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHB MOSFET SIHB6N80AE-GE3 Typ N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHG MOSFET SIHG085N60EF-GE3 Typ N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHB120N60E-T5-GE3 Typ N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení