řada: RF4P060BG MOSFET RF4P060BGTCR Typ N-kanálový 6 A 100 V ROHM, HUML2020L8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 266-3857
- Výrobní číslo:
- RF4P060BGTCR
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
72,72 Kč
(bez DPH)
87,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,272 Kč | 72,72 Kč |
| 50 - 90 | 7,134 Kč | 71,34 Kč |
| 100 - 240 | 5,592 Kč | 55,92 Kč |
| 250 - 990 | 5,474 Kč | 54,74 Kč |
| 1000 + | 4,268 Kč | 42,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 266-3857
- Výrobní číslo:
- RF4P060BGTCR
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | HUML2020L8 | |
| Řada | RF4P060BG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 53mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení HUML2020L8 | ||
Řada RF4P060BG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 53mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s nízkým odporem při zapnutí a malým lisovaným pouzdrem s vysokým výkonem, který je vhodný pro spínání.
Bezolovnaté povrchové pokovení
V souladu s RoHS
Bez halogenů
Související odkazy
- řada: RF4P060BG MOSFET Typ N-kanálový 6 A 100 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: UT6 MOSFET UT6KE5TCR Typ N-kanálový 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: UT6 MOSFET UT6ME5TCR Typ P HUML2020L8, počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2
- řada: UT6 MOSFET UT6JE5TCR Typ P-kanálový 1 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový ROHM Vylepšení 2 Pch+Pch
- řada: RF4G100BG MOSFET Typ N-kanálový 10.3 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: RF4G100BG MOSFET RF4G100BGTCR Typ N-kanálový 10.3 A 40 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: RF4L MOSFET RF4L070BGTCR Typ N-kanálový 10.3 A 60 V ROHM počet kolíků: 8 kolíkový N
- MOSFET UT6MA2TCR Typ P HUML2020L8 ROHM
