řada: VP2110 MOSFET VP2110K1-G Typ P-kanálový -120 mA 100 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 264-8951P
- Výrobní číslo:
- VP2110K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 844,70 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
905,25 Kč
(bez DPH)
1 095,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 640 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 18,105 Kč | - |
| 100 - 240 | 9,658 Kč | 844,70 Kč |
| 250 - 990 | 9,51 Kč | 2 148,75 Kč |
| 1000 + | 9,337 Kč | 8 768,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8951P
- Výrobní číslo:
- VP2110K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -120mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | VP2110 | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.36W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.12mm | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -120mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada VP2110 | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.36W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.12mm | ||
Šířka 1.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou a režimem vylepšení (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovými hradly. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním v zařízeních MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Bez sekundárního porušení
Požadavky na nízkou spotřebu
Snadné paralelizování
Nízké CISS a rychlé spínací rychlosti
Vynikající tepelná stabilita
Integrovaná dioda zdroj-odvod
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk