MOSFET Typ P-kanálový 600 mA 40 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový MOSFET
- Skladové číslo RS:
- 264-8930P
- Výrobní číslo:
- TP2104K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 11%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
768,15 Kč
(bez DPH)
929,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 830 jednotka(y) budou odesílané od 05. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 15,363 Kč | - |
| 100 - 240 | 13,585 Kč | 11% |
| 250 - 990 | 13,313 Kč | 13% |
| 1000 + | 13,017 Kč | 15% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8930P
- Výrobní číslo:
- TP2104K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 600mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.36W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 600mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.36W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou a režimem vylepšení (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovými hradly. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Vysoká vstupní impedance a vysoký zisk
Požadavky na nízkou spotřebu
Snadné paralelizování
Nízké CISS a rychlé spínací rychlosti
Vynikající tepelná stabilita
Integrovaná dioda zdroje-odtoku
Bez sekundárního porušení