řada: TN5335 MOSFET N-kanálový 230 mA 350 V Microchip, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový MOSFET
- Skladové číslo RS:
- 264-8925P
- Výrobní číslo:
- TN5335K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 090,50 Kč
(bez DPH)
1 319,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 280 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 90 | 21,81 Kč |
| 100 - 240 | 17,784 Kč |
| 250 - 990 | 17,438 Kč |
| 1000 + | 17,068 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8925P
- Výrobní číslo:
- TN5335K1-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 230mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 350V | |
| Řada | TN5335 | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15Ω | |
| Režim kanálu | MOSFET | |
| Přímé napětí Vf | 1.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 230mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 350V | ||
Řada TN5335 | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15Ω | ||
Režim kanálu MOSFET | ||
Přímé napětí Vf 1.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.3mm | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou bránou. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Nízká prahová hodnota
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního porušení
Nízký vstupní a výstupní únik