řada: TN0610 MOSFET N-kanálový 500 A 100 V Microchip, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 264-8912P
- Výrobní číslo:
- TN0610N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 163,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*
1 165,80 Kč
(bez DPH)
1 410,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 425 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 95 | 23,316 Kč | - |
| 100 - 245 | 21,686 Kč | 163,00 Kč |
| 250 - 495 | 21,242 Kč | 518,50 Kč |
| 500 + | 20,748 Kč | 1 284,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 264-8912P
- Výrobní číslo:
- TN0610N3-G
- Výrobce:
- Microchip
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Microchip | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 500A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | TN0610 | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Microchip | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 500A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada TN0610 | ||
Typ balení TO-92 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový tranzistor MOSFET Microchip s nízkou prahovou hodnotou (normálně vypnutý) využívá vertikální strukturu DMOS a osvědčený výrobní proces s křemíkovou bránou. Tato kombinace vytváří zařízení s funkcemi řízení napájení bipolárních tranzistorů a vysokou vstupní impedancí a kladným teplotním koeficientem inherentním u zařízení MOS. Charakteristické pro všechny konstrukce MOS, toto zařízení je bez tepelného úniku a sekundárního rozkladu vyvolaného teplem. Svislé tranzistory DMOS FET jsou ideální pro širokou škálu spínacích a zesilovacích aplikací, kde je požadováno velmi nízké prahové napětí, vysoké přerušovací napětí, vysoká vstupní impedance, nízká vstupní kapacita a vysoké spínací rychlosti.
Nízká prahová hodnota – max. 2,0 V
Vysoká vstupní impedance
Nízká vstupní kapacita – typicky 100 pF
Rychlé spínací rychlosti
Nízký odpor při zapnutí
Bez sekundárního porušení
Nízký vstupní a výstupní únik